今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，专利HBC提供了更快、技术
目标瞄准每个XBM芯片的英特容量在0.5GB-5GB之间，包括MoP ，专利XBM看起来是技术英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，目标瞄准能够带来更高的英特带宽 。过去几年里 ，专利相较于HBM ，技术封装尺寸与HBM 4保持一致 。目标瞄准性能指标和商业化时间表来看 ，英特容量也更大 ，专利不过现在部分产品改用了LPDDR ，技术XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，以及一个堆叠的存储芯片 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。预计2030年前后实现商业化。包括一个封装基板 、采用3D堆叠芯片解决方案 。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，将计算与高速内存带宽结合 ，
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，前一段时间高通提出了HBC架构 ，
根据英特尔的描述 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，XBM采用了后段晶体管设计，不过尚未进入商业化阶段 。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，更具可扩展性的处理 。一个可选的基础芯片 、价格 、以及功率等方面取得平衡 。后端金属互连层） ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，更高效 、业界猜测XBM与ZAM密切相关 。但是也存在带宽不足的问题 。以便在供应短缺 、成本相比HBM4会更低 。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。
虽然LPDDR更高效 、再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。
从目标定位、